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mos醫(yī)學(xué)代表什么意思（醫(yī)學(xué)mosd是什么）

發(fā)布時間：2023-03-13 11:13:59 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 93 問大家

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本文目錄:

1、mos管符號
2、場效應(yīng)和MOS管有什么區(qū)別呢？
3、MOS管的各項參數(shù)表示什么意思？
4、mos管的作用

mos醫(yī)學(xué)代表什么意思（醫(yī)學(xué)mosd是什么）

一、mos管符號

mos管符號為mos管電路符號，MOS管的電路符號會有多種變化，電路中最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）

MOS管是可以控制電壓的元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（漏極）是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

二、場效應(yīng)和MOS管有什么區(qū)別呢？

一、主體不同

1、場效應(yīng)：V型槽MOS

三、規(guī)則不同

1、場效應(yīng)：將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。

2、MOS管：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。

參考資料來源：百度百科-場效應(yīng)管

參考資料來源：百度百科-MOSFET

三、MOS管的各項參數(shù)表示什么意思？

在MOS管的參數(shù)中有許多的英文符號單位，剛接觸的人可能一下區(qū)分不出這些符號代表什么意思，這里具體解釋一下各參數(shù)的含義。

Vds

也就是電壓，這是MOS管極限參數(shù)表示MOS管漏極與源極之間的最大電壓值。值得注意的是，該參數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，通常結(jié)溫越高，該值最大。

Rds(on)

漏源導(dǎo)電阻，表示MOS管在一定條件下導(dǎo)通時，泄漏極之間的導(dǎo)通電阻。這個參數(shù)和MOS管結(jié)溫，驅(qū)動電壓Vgs相關(guān)。在一定范圍內(nèi)，結(jié)溫越高，Rds驅(qū)動電壓越高，Rds越小。

漏極電流通常有幾種不同的描述方法。根據(jù)工作電流的形式，連續(xù)泄漏電流和一定脈寬的脈沖泄漏電流(Pulsed drain current)。這個參數(shù)同樣是MOS管一個極限參數(shù)，但這個最大電流值并不意味著泄漏電流可以在運(yùn)行過程中達(dá)到這個值。這意味著當(dāng)殼體溫度在一定值時，如果MOS管如果工作電流為上述最大泄漏電流，結(jié)溫將達(dá)到最大值。因此，該參數(shù)還與設(shè)備包裝和環(huán)境溫度有關(guān)。

Vgs

這也是柵源最大的驅(qū)動電壓MOS管極限參數(shù)表示MOS管一旦驅(qū)動電壓超過這個極限值，即使在很短的時間內(nèi)，也會對柵極氧化層造成永久性傷。一般來說，只要驅(qū)動電壓不超過極限，就不會有問題。然而，在某些特殊情況下，由于寄生參數(shù)的存在，它將是正確的Vgs需要特別注意電壓的不可預(yù)測影響

Idm

最大脈沖DS電流.它會隨著溫度的升高而降低，反映抗沖擊性，這也與脈沖時間有關(guān)

最大耗散功率

最大工作溫度通常為150度和175度

Tstg

最大存儲溫度

Iar

雪崩電流

gfs

跨導(dǎo)，是指泄漏電極輸出電流與柵源電壓變化之比，是柵源電壓控制泄漏電流的能力。

在驅(qū)動信號的作用下，柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。也就是說，MOS管驅(qū)動電路從截止?fàn)顟B(tài)到完全導(dǎo)通狀態(tài)所需的電荷是評估MOS管驅(qū)動電路驅(qū)動能力的主要參數(shù)。

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