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EDS表征（EDS表征原理）

發(fā)布時(shí)間：2023-04-14 04:35:00 稿源：創(chuàng)意嶺閱讀： 136

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本文目錄:

1、光催化材料常用的表征方法有哪些
2、凝聚態(tài)物理常見的實(shí)驗(yàn)方法和技術(shù)有哪些？
3、請(qǐng)教EDS-mapping與EELS-mapping的區(qū)別
4、通量的定義 B*S叫做磁通量,有沒有電場(chǎng)強(qiáng)度E*S

EDS表征（EDS表征原理）

一、光催化材料常用的表征方法有哪些

1、粉末X射線衍射法，除了用于對(duì)固體樣品進(jìn)行物相分析外，還可用來測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)的晶胞參數(shù)、點(diǎn)陣型式及簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的原子坐標(biāo)。X射線衍射分析用于物相分析的原理是:由各衍射峰的角度位置所確定的晶面間距d以及它們的相對(duì)強(qiáng)度Ilh是物質(zhì)的固有特征。

而每種物質(zhì)都有特定的晶胞尺寸和晶體結(jié)構(gòu)，這些又都與衍射強(qiáng) 度和衍射角有著對(duì)應(yīng)關(guān)系，因此，可以根據(jù)衍射數(shù)據(jù)來鑒別晶體結(jié)構(gòu)。此外，依據(jù)XRD衍射圖，利用Schercr公式:,K,, (2), Lcos,式中p為衍射峰的半高寬所對(duì)應(yīng)的弧度值;K為形態(tài)常數(shù)，可取0.94或0.89。

為X 射線波長(zhǎng)，當(dāng)使用銅靶時(shí)，又1.54187 A; L為粒度大小或一致衍射晶疇大小;e為布拉格衍射角。用衍射峰的半高寬FWHM和位置(2a)可以計(jì)算納米粒子的粒徑。

2、熱分析表征。熱分析技術(shù)應(yīng)用于固體催化劑方面的研究，主要是利用熱分析跟蹤氧化物制備過程中的重量變化、熱變化和狀態(tài)變化。本論文采用的熱分析技術(shù)是在氧化物分析中常用的示差掃描熱法(Differential Scanning Calorimetry, DSC)和熱重法( Thermogravimetry, TG )，簡(jiǎn)稱為DSC-TG法。采用STA-449C型綜合熱分析儀(德,10國(guó)耐馳)進(jìn)行熱分析，N2保護(hù)器。升溫速率為10 C.min 。

3、掃描隧道顯微鏡法。掃描隧道顯微鏡有原子量級(jí)的高分辨率，其平行和垂直于表面方向的分辨率分別為0.1 nm和0.01nm，即能夠分辨出單個(gè)原子，因此可直接觀察晶體表面的近原子像;其次是能得到表面的三維圖像，可用于測(cè)量具有周期性或不具備周期性的表面結(jié)構(gòu)。通過探針可以操縱和移動(dòng)單個(gè)分子或原子，按照人們的意愿排布分子和原子，以及實(shí)現(xiàn)對(duì)表面進(jìn)行納米尺度的微加工。

4、透射電子顯微鏡法。透射電鏡可用于觀測(cè)微粒的尺寸、形態(tài)、粒徑大小、分布狀況、粒徑分布范圍等，并用統(tǒng)計(jì)平均方法計(jì)算粒徑，一般的電鏡觀察的是產(chǎn)物粒子的顆粒度而不是晶粒度。高分辨電子顯微鏡(HRTEM)可直接觀察微晶結(jié)構(gòu)，尤其是為界面原子結(jié)構(gòu)分析提供了有效手段。

它可以觀察到微小顆粒的固體外觀，根據(jù)晶體形貌和相應(yīng)的衍射花樣、高分辨像可以研究晶體的生長(zhǎng)方向。測(cè)試樣品的制備同SEM 樣品。本研究采用 JEM-3010E高分辨透射電子顯微鏡(日本理學(xué))分析晶體結(jié)構(gòu)，加速電壓為200 kV 。

EDS表征（EDS表征原理）

5、X射線能量彌散譜儀法。每一種元素都有它自己的特征X射線，根據(jù)特征X射線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度就能得出定性和定量的分析結(jié)果，這是用X射線做成分分析的理論依據(jù)。EDS分析的元素范圍Be4-U9a，一般的測(cè)量限度是0.01%，最小的分析區(qū)域在5~50A，分析時(shí)間幾分鐘即可。X射線能譜儀是一種微區(qū)微量分析儀。

參考資料來源：知網(wǎng)—表征手段

參考資料來源：知網(wǎng)—材料表征

二、凝聚態(tài)物理常見的實(shí)驗(yàn)方法和技術(shù)有哪些？

科學(xué)實(shí)驗(yàn)方法實(shí)驗(yàn)物理學(xué) 二、科學(xué)實(shí)驗(yàn)方法計(jì)算模擬方法計(jì)算物理學(xué) 在凝聚態(tài)物理學(xué)、材料物理與化學(xué)等領(lǐng)域應(yīng)用普遍。諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的所有成果都必須有實(shí)驗(yàn)結(jié)果的支持。歸根結(jié)底，為了透過現(xiàn)象看本質(zhì)，找三、計(jì)算機(jī)仿真模擬方法到凝聚態(tài)物質(zhì)的物理本質(zhì)和規(guī)律，以致應(yīng) 應(yīng)用于物理學(xué)的各個(gè)分支。模擬核爆炸、集成電用。路設(shè)計(jì)、微納電子器件設(shè)計(jì)等等。凝聚態(tài)物理實(shí)驗(yàn)的一般步驟樣品制備 ? 樣品的制備是研究凝聚態(tài)物質(zhì)（材料）的基礎(chǔ)。一般實(shí)驗(yàn)步驟包括：材料科學(xué)研究中，追求材料的功能意識(shí)的加強(qiáng)以背景調(diào)研及結(jié)構(gòu)與性能內(nèi)在聯(lián)系意識(shí)的提高，人們期望以性能樣品制備為導(dǎo)向，尋求和設(shè)計(jì)最適宜的結(jié)構(gòu)物質(zhì)材料，就是通測(cè)量?jī)x器原理和性能與校準(zhǔn) 過制備樣品付諸實(shí)現(xiàn)的。 ? 性能與結(jié)構(gòu)相關(guān)，決定于材料成份和工藝參數(shù)等測(cè)量與誤差處理條件。在新材料研制與開發(fā)、冶金生產(chǎn)過程、表面工結(jié)果分析與討論。程（腐蝕、摩擦等等）等分析中均有重要應(yīng)用。結(jié)論 ? 宏觀表象深入至微觀認(rèn)識(shí)。結(jié)構(gòu)參數(shù)信息帶來新觀念，為改進(jìn)生產(chǎn)工藝，研制新材料樣品、建立新理論提供依據(jù)。H. Gleiter建立納米材料的概念值得借鑒…… 1 包括：測(cè)試技術(shù) 1. 制備方法（設(shè)備）的選取。掌握其原理、性能參數(shù)、 ? 測(cè)試分析，能夠揭示材料樣品的結(jié)構(gòu)、成份和性操作規(guī)程和維護(hù)、實(shí)驗(yàn)室規(guī)章。能。 2. 首先學(xué)習(xí)并且能夠重復(fù)前人的結(jié)果，熟練操作規(guī)程和維護(hù)。明確工藝參數(shù)條件。找到材料的結(jié)構(gòu)及成分與工 ? 改變測(cè)試條件（溫度、壓強(qiáng)等），可以發(fā)現(xiàn)樣品藝參數(shù)條件的規(guī)律性關(guān)系。做好完整的記錄。的結(jié)構(gòu)、成份和性能的變化規(guī)律。 3. 研究樣品生長(zhǎng)機(jī)制和生長(zhǎng)規(guī)律。 ? 通過分析找到制備條件、結(jié)構(gòu)和成份（改變）與性能（的變化）的對(duì)應(yīng)關(guān)系。 4. 通過全面深入的文獻(xiàn)調(diào)研，查缺補(bǔ)漏（包括工藝參數(shù) 條件是否全部使用、哪些結(jié)構(gòu)及成分的材料還很少報(bào) ? 以此為依據(jù)，發(fā)現(xiàn)新結(jié)構(gòu)、新成份；找到新的規(guī) 道、是否存在缺陷、可否改進(jìn)其方案）。律，或糾正原有不正確的說法；提出新的模型和理 5. 創(chuàng)新制備、測(cè)量方法。論。測(cè)試樣品的制備儀器及其使用 ? 掌握儀器的原理、各項(xiàng)性能指標(biāo)及其變化范圍和步按要求制備測(cè)試樣品。防污/去污：STM、AFM等試樣。長(zhǎng)、真空度、污染源等等。熟悉儀器校準(zhǔn)和運(yùn)行，準(zhǔn)確防腐/氧化：如表面分析的試樣。分析被測(cè)樣品實(shí)際結(jié)構(gòu)與性能及變化規(guī)律。 EDS表征（EDS表征原理）

三、請(qǐng)教EDS-mapping與EELS-mapping的區(qū)別

如果是做STEM的EELS mapping時(shí)間比edx mapping只長(zhǎng)不短。分辨率是eels mapping比edx mapping高

四、通量的定義 B*S叫做磁通量,有沒有電場(chǎng)強(qiáng)度E*S

有E*S,叫做電通量,電通量electric flux表征電場(chǎng)分布情況的物理量.通常電場(chǎng)中某處面元dS的電通量 dΦE 定義為該處場(chǎng)強(qiáng)的大小E與dS在垂直于場(chǎng)強(qiáng)方向的投影,dScosθ的乘積,即dΦE＝EdScosθ式中 θ是 dS 的法線方向 n ...

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