burst諧音記憶

大家好！今天讓創(chuàng)意嶺的小編來(lái)大家介紹下關(guān)于burst諧音記憶的問(wèn)題，以下是小編對(duì)此問(wèn)題的歸納整理，讓我們一起來(lái)看看吧。

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本文目錄:

• 1、英語(yǔ)不好，記不住單詞，怎么辦？

• 2、照相機(jī)中burst模式和continuous模式的區(qū)別

• 3、顯卡內(nèi)存DDR,DDR2,DDR3,有什么區(qū)別，哪個(gè)最好

• 4、As she walked along a , a door suddenly burst...

一、英語(yǔ)不好，記不住單詞，怎么辦？

1、英語(yǔ)不好，記不住單詞。個(gè)人覺(jué)得有一下兩個(gè)方面的原因?qū)е履阌洸蛔卧~。

1、記單詞方法不對(duì)。在記單詞的時(shí)候最好是看到單詞能知道意思、發(fā)音。剛開(kāi)始可以跟讀，跟著讀單詞，然后去記這個(gè)單詞的意思。還有單詞記住要經(jīng)常復(fù)習(xí)，不要記住一遍然后就不復(fù)習(xí)了。多溫習(xí)。

2、用的時(shí)間不多。每天記得單詞太多了，剛開(kāi)始可以把記單詞的數(shù)量降下來(lái)。不要記多了，記多了，肯定記不住。

3、記單詞是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程。每天都要記。時(shí)間的力量。在記住單詞的時(shí)候可以用雷哥單詞等單詞評(píng)估軟件，測(cè)試一下自己的單詞量，，然后每天記住，等一個(gè)月下來(lái)，在測(cè)試自己的詞匯量，這樣能看到自己?jiǎn)卧~量的上漲，更有動(dòng)力堅(jiān)持。

二、照相機(jī)中burst模式和continuous模式的區(qū)別

高速連拍模式是數(shù)碼相機(jī)優(yōu)勢(shì)的體現(xiàn)，它能讓攝影者一張緊接著一張沒(méi)有停頓的拍攝數(shù)張照片，這種功能通常較少使用在傳統(tǒng)膠卷照相機(jī)上，只有配備特制小型馬達(dá)的膠卷單鏡反光相機(jī)才具有連拍功能。根據(jù)照相機(jī)的類(lèi)型和型號(hào)不同，各種照相機(jī)的最高連拍速度（fps）和最多連拍張數(shù)是不同的。最高連拍速度（fps）由快門(mén)速度和照相機(jī)圖像處理速度決定。最多連拍張數(shù)由緩沖器的大?。ㄉ衔囊丫唧w談及）和記憶卡讀寫(xiě)速度決定。

隨著科技不斷發(fā)展，數(shù)碼相機(jī)的每秒最多拍攝張數(shù)（fps）和最多連拍張數(shù)不斷增加，連拍功能變得越來(lái)越強(qiáng)大。當(dāng)然，輕巧型數(shù)碼相機(jī)的連拍能力比準(zhǔn)專(zhuān)業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)弱，準(zhǔn)專(zhuān)業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)又比專(zhuān)業(yè)數(shù)碼單反弱。通常在高速連拍模式中，輕便型數(shù)碼相機(jī)每秒最多拍攝1～3張照片，每次連拍最多拍攝10張照片，然而，專(zhuān)業(yè)數(shù)碼單反每秒最多拍攝7張（以上）照片，每次連拍能拍攝數(shù)十張JPEG和RAW格式的照片。一些更先進(jìn)的專(zhuān)業(yè)級(jí)照相機(jī)甚至允許攝影者先以較慢速度繼續(xù)進(jìn)行連拍，然后突然轉(zhuǎn)到高速（全速）連拍，直到記憶卡被寫(xiě)滿(mǎn)圖片數(shù)據(jù)為止。

三、顯卡內(nèi)存DDR,DDR2,DDR3,有什么區(qū)別，哪個(gè)最好

什么是DDR1

有時(shí)候大家將老的存儲(chǔ)技術(shù) DDR 稱(chēng)為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區(qū)分。盡管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。

DDR1規(guī)格

DDR-200: DDR-SDRAM 記憶芯片在100 MHz下運(yùn)行 DDR-266: DDR-SDRAM 記憶芯片在133 MHz下運(yùn)行 DDR-333: DDR-SDRAM 記憶芯片在166 MHz下運(yùn)行 DDR-400: DDR-SDRAM 記憶芯片在200 MHz下運(yùn)行（JEDEC制定的DDR最高規(guī)格） DDR-500: DDR-SDRAM 記憶芯片在250 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-600: DDR-SDRAM 記憶芯片在300 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-700: DDR-SDRAM 記憶芯片在350 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）

DDR2.2G

[1][2][3]

什么是 DDR2

DDR2 是 DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在 DDR 內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，從而其傳輸速度更快（可達(dá) 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良 .

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀?。Q句話(huà)說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn)行。

DDR3與DDR2的比較

DDR3與DDR2幾個(gè)主要的不同之處 ：

1.突發(fā)長(zhǎng)度（Burst Length，BL）

由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線(xiàn)來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

2.尋址時(shí)序（Timing）

就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0～4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和

DDR3

CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

DDR2內(nèi)存的頻率

其中 DDR2 的頻率對(duì)照表如右圖所示。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專(zhuān)門(mén)準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。

在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線(xiàn)上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。

4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能

ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

參考電壓分成兩個(gè)

在DDR3系統(tǒng)中，對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào)，即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線(xiàn)服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的信噪等級(jí)。

點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（Point-to-Point，P2P）

這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（Point-to-two-Point，P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線(xiàn)的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類(lèi)別相類(lèi)似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級(jí)內(nèi)存緩沖器）。

面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì)，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域，DDR3未來(lái)也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。

DDR4

據(jù)介紹美國(guó)JEDEC將會(huì)在不久之后啟動(dòng)DDR4內(nèi)存峰會(huì)，而這也標(biāo)志著DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定工作的展開(kāi)。一般認(rèn)為這樣的會(huì)議召開(kāi)之后新產(chǎn)品將會(huì)在3年左右的時(shí)間內(nèi)上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時(shí)候使用上DDR4內(nèi)存，最快也有可能會(huì)提前到2010年。

JEDEC表示在7月份于美國(guó)召開(kāi)的存儲(chǔ)器大會(huì)MEMCON07SanJose上時(shí)就考慮過(guò)DDR4內(nèi)存要盡可能得繼承DDR3內(nèi)存的規(guī)格。使用Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號(hào))信號(hào)方式則表示64-bit存儲(chǔ)模塊技術(shù)將會(huì)得到繼承。不過(guò)據(jù)說(shuō)在召開(kāi)此次的DDR4峰會(huì)時(shí)，DDR4 內(nèi)存不僅僅只有Single-endedSignaling方式，大會(huì)同時(shí)也推出了基于微分信號(hào)存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)的DDR4內(nèi)存。

DDR4規(guī)格

因此DDR4內(nèi)存將會(huì)擁有兩種規(guī)格。其中使用Single-endedSignaling信號(hào)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率已經(jīng)被確認(rèn)為1.6～3.2Gbps，而基于差分信號(hào)技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達(dá)到6.4Gbps。由于通過(guò)一個(gè)DRAM實(shí)現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的，因此DDR4內(nèi)存將會(huì)同時(shí)存在基于傳統(tǒng)SE信號(hào)和微分信號(hào)的兩種規(guī)格產(chǎn)品。

根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會(huì)是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號(hào))方式DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù) )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對(duì)此表示了確認(rèn)。預(yù)計(jì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時(shí)代我們將會(huì)看到兩個(gè)互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。

DDR5

新一代的顯存會(huì)有較低的能量消耗量，且數(shù)據(jù)傳輸為每秒6 Gbps

直至目前為止，我們只看到極少數(shù)的繪圖卡使用gddr4顯存，但三星已發(fā)布下一代的gddr5記憶體，并聲稱(chēng)它的樣本已經(jīng)發(fā)向了主要的圖形處理器公司。

當(dāng)然，三星并不是第一家提供gddr5的樣品的公司。海力士Hynix和奇夢(mèng)達(dá)雙方也宣布了類(lèi)似的零件，但三星的記憶已經(jīng)進(jìn)了一步提供了數(shù)據(jù)傳輸速率6gb/sec ，超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)5gb/sec 。因此，三星大膽聲稱(chēng)它的產(chǎn)品為“世界上速度最快的記憶體”并且說(shuō)，它的產(chǎn)品“能夠傳輸移動(dòng)影像及相關(guān)數(shù)據(jù)，在24千兆字節(jié)每秒?！?/p>

除了增加帶寬， gddr5記憶體也比較低功耗，三星公司聲稱(chēng)其記憶體運(yùn)作，只是1.5v 。

三星是目前采樣512MB的gddr5芯片（ 16 MB × 32 ） ， mueez 迪恩，三星繪圖記憶體的市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)主管，他說(shuō)，該記憶體“將使種圖形硬體的表現(xiàn)將推動(dòng)軟件開(kāi)發(fā)商提供了一個(gè)新臺(tái)階眼膨化游戲。不過(guò)，我們可能要等待一段時(shí)間之前， gddr5成為普遍。三星公司估計(jì)，該記憶體將成為”在頂級(jí)產(chǎn)品細(xì)分市場(chǎng)中的事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)“。

顯然DDR3是最好的

四、As she walked along a , a door suddenly burst...

以上就是關(guān)于burst諧音記憶相關(guān)問(wèn)題的回答。希望能幫到你，如有更多相關(guān)問(wèn)題，您也可以聯(lián)系我們的客服進(jìn)行咨詢(xún)，客服也會(huì)為您講解更多精彩的知識(shí)和內(nèi)容。

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